MOS管工作狀態(tài)判斷指南
一、萬用表測(cè)試法
二極管測(cè)試檔測(cè)量：將萬用表調(diào)至二極管測(cè)試檔，對(duì)于NMOS管，紅表筆接源極（S），黑表筆接漏極（D），測(cè)量正向偏置電壓；交換表筆位置測(cè)反向偏置電壓。PMOS管則表筆連接方式相反。對(duì)比實(shí)測(cè)電壓值與數(shù)據(jù)表，判斷MOS管是否正常工作。
電阻測(cè)試：當(dāng)柵極無觸發(fā)脈沖時(shí)，漏源電阻應(yīng)很大。用萬用表歐姆檔測(cè)漏極（D）和源極（S）間電阻，若遠(yuǎn)大于數(shù)據(jù)表典型值，MOS管可能存在故障。
連續(xù)性測(cè)試：利用數(shù)字萬用表連續(xù)性模式，聽蜂鳴器聲音判斷連通性。表筆接漏極（D）和源極（S），蜂鳴器響表明故障，靜音則狀態(tài)良好。
二、組裝測(cè)試電路
搭建簡(jiǎn)單測(cè)試電路，模擬MOS管實(shí)際工作環(huán)境，更直觀地評(píng)估其工作狀態(tài)，反映其在真實(shí)電路中的性能表現(xiàn)。
三、MOS管的三個(gè)工作狀態(tài)
截止?fàn)顟B(tài)：當(dāng)柵源電壓（VGS）小于閾值電壓（VGS.TH）時(shí)，MOS管處于截止?fàn)顟B(tài)，漏極電流（ID）很小，相當(dāng)于不導(dǎo)通。
線性區(qū)：當(dāng)VGS大于VGS.TH，且漏源電壓（VDS）小于VGS-VGS.TH時(shí)，MOS管導(dǎo)通并工作在線性區(qū)，可等效為線性電阻，漏極電流（ID）隨VDS增大而線性增加。
飽和區(qū)：當(dāng)VGS大于VGS.TH，且VDS大于VGS-VGS.TH時(shí)，MOS管導(dǎo)通并工作在飽和區(qū)，可等效為電壓控制的電流源，漏極電流（ID）幾乎不隨VDS變化，達(dá)到最大值。
對(duì)于PMOS管，電壓和電流方向與NMOS管相反。不同類型的MOS管（如增強(qiáng)型或耗盡型）工作狀態(tài)和特性也存在差異。
四、工作狀態(tài)判斷總結(jié)（以NMOS為例）
截止區(qū)：Vgs<Vth（開啟電壓）。
變阻區(qū)：Vgs>Vth且Vds<Vgs-Vth，溝道暢通，相當(dāng)于導(dǎo)體，阻值受Vgs控制。
飽和區(qū)（恒流區(qū)）：Vgs>Vth且Vds>Vgs-Vth，Vds增加時(shí)Id幾乎不再變，處于受控恒流狀態(tài)。
通過以上方法和對(duì)工作狀態(tài)的理解，可準(zhǔn)確判斷MOS管的工作情況，為電路設(shè)計(jì)、調(diào)試和維修提供有力支持。
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