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什么是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管詳細(xì)介紹
  • 發(fā)布時(shí)間:2022-06-02 15:42:16
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什么是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管詳細(xì)介紹
絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),我們又稱為MOS管。
絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的種類較多,有PMOS、NMOS和VMOS功率管等,但應(yīng)用最多的是MOS管。MOS絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管也即金屬一氧化物一半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,通常用MOS表示,簡(jiǎn)稱作MOS管。
它具有比結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管更高的輸入阻抗(可達(dá)1012Ω以上),并且制造工藝比較簡(jiǎn)單,使用靈活方便,非常有利于高度集成化。
這種MOS管和結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管有類似的地方,那就是它也有兩種類型,一種是N溝道的MOS管,另一種是P溝道的MOS管,按電極數(shù)來(lái)分也有柵極G、漏極D和源極S三個(gè)電極。
對(duì)比結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFET來(lái)說(shuō),絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)是利用半導(dǎo)體表面的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)工作的,從這個(gè)方面講我們也可以叫它“表面場(chǎng)效應(yīng)管”。
我們從它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)可以知道,MOS管的柵極G是處于絕緣狀態(tài)的,因此MOS的等效輸入電阻會(huì)更高,要比結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管高出上百萬(wàn)歐姆的電阻,其結(jié)構(gòu)如下圖所示。
絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管
不管是N溝道的還是P溝道的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管都可分為耗盡型和增強(qiáng)型兩種,我們所說(shuō)的耗盡型是指當(dāng)場(chǎng)效應(yīng)管的柵極電壓是零的時(shí)候,即Ugs=0V,這時(shí)候漏極電流Id是不等于零的。
那么增強(qiáng)型是指當(dāng)場(chǎng)效應(yīng)管的柵極電壓是零的時(shí)候,即Ugs=0V,這時(shí)候漏極電流Id也等于零。下面我們分別對(duì)PMOS和NMOS這兩種MOS管進(jìn)行一個(gè)全面的解讀。
1、增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
雖然增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管有N溝道MOS管和P溝道MOS管,但是這兄弟倆的結(jié)構(gòu)和工作過(guò)程是很相似的,
因此下面我舉出平時(shí)用的比較多的一種增強(qiáng)型的NMOS管為例來(lái)給朋友們做一下說(shuō)明,N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)示意圖如下所示。
N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)示意圖
絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管
要使N溝道增強(qiáng)型MOS管工作起來(lái)的話首先必須在它的各個(gè)極上添加適合的電壓才行,也就是說(shuō)要在柵極G和源極S之間加上一個(gè)正電壓,也就是說(shuō)Ugs要大于零并且要有一定的電壓值,
這時(shí)候漏極D和源極S之間才會(huì)有電流通過(guò)的路徑,這個(gè)路徑我們形象地叫它溝道,通過(guò)這個(gè)溝道的電流就是Id電流。這個(gè)電流是受場(chǎng)效應(yīng)管的柵極電壓控制的。
這也就是說(shuō)對(duì)于增強(qiáng)型的MOS管來(lái)說(shuō),當(dāng)柵極電壓Ugs是零的時(shí)候,漏極D和源極S之間就像斷路一樣無(wú)法通過(guò)電流,因此也就沒(méi)有電流Id了。
當(dāng)柵極電壓Ugs加上一定電壓值的時(shí)候,漏極D和源極S之間就可以通過(guò)電流了,并且這個(gè)電流值的大小受到柵極電壓大小的控制。
耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管
2、耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
耗盡型的MOS管也有N溝道和P溝道之分,下面我們?yōu)榱巳嬲f(shuō)明問(wèn)題,現(xiàn)在以N溝道耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管為例來(lái)說(shuō)明,
由下面的輸出特性曲線圖可以看到,要使這種類型的管子工作的話就要給它的柵極G加上一個(gè)負(fù)的電壓,這時(shí)漏極D和源極S之間就可以有電流通過(guò)。
如果這個(gè)柵極的負(fù)電壓在一定的負(fù)電壓區(qū)域變化時(shí),那么漏極的電流Id也會(huì)變化了。
3、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的作用
通過(guò)我們對(duì)MOS管的全面剖析可以知道場(chǎng)效應(yīng)MOS管是利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制電流大小的,由于這種管子可以制作的很小,結(jié)構(gòu)又很簡(jiǎn)單,輸入電阻又很大,所以它是優(yōu)先被考慮到用在各種規(guī)模的集成電路里的。
另外如果做成分立元件的話它也可以用在放大電路中作為信號(hào)的放大器件來(lái)用。
再者由于它可以工作在較高的頻率,同時(shí)又可以經(jīng)受住較高的電壓沖擊,因此可以作為大功率開關(guān)管來(lái)用,類似電子開關(guān)一樣。最后在又的場(chǎng)合還可以作為動(dòng)態(tài)的可變電阻使用。
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