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差分放大電路的詳細(xì)介紹
2024-07-15
差分放大電路的詳細(xì)介紹在電路設(shè)計(jì)中，肯定離不開對(duì)于基礎(chǔ)電路的掌握，而在基礎(chǔ)電路中，差分放大電路是非常重要的一個(gè)電路。差分放大電路是
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MOS管的符號(hào)含義,原理與導(dǎo)通條件介紹
2024-07-15
MOS管的符號(hào)含義,原理與導(dǎo)通條件介紹符號(hào)所代表的涵義如圖所示。柵極沒有電壓截止，給柵極施加電壓按綠色箭頭方向?qū)ㄔ恚篘型半導(dǎo)體是4價(jià)
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MOS管的測(cè)試詳細(xì)介紹
2024-07-15
MOS管的測(cè)試詳細(xì)介紹在測(cè)量晶體三極管或二極管時(shí)，一般是采用普通的萬(wàn)用表來(lái)判斷三極管或者二極管的好壞，雖然對(duì)所判斷的三極管或二極管的
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MOS管,電源防反接與防倒灌介紹
2024-07-15
MOS管,電源防反接與防倒灌介紹防反接電路的用處很容易理解，實(shí)現(xiàn)也相對(duì)簡(jiǎn)單，但是防倒灌電路則可能到用到的時(shí)候才會(huì)發(fā)現(xiàn)有點(diǎn)復(fù)雜。比方說，
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MOS管實(shí)例應(yīng)用電路,激勵(lì)電路詳解
2024-07-13
MOS管實(shí)例應(yīng)用電路,激勵(lì)電路詳解初步的了解了MOS管的一些知識(shí)后，一般的就可以簡(jiǎn)單的分析，采用MOS管開關(guān)電源的電路了。1、 三星等離子V2
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MOS管開關(guān)應(yīng)用的泄放電阻介紹
2024-07-13
MOS管開關(guān)應(yīng)用的泄放電阻介紹MOS管在開關(guān)狀態(tài)工作時(shí);Q1、Q2是輪流導(dǎo)通，MOS管柵極是在反復(fù)充電、放電的狀態(tài)，如果在此時(shí)關(guān)閉電源，MOS管的
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MOS管作為開關(guān)管應(yīng)用的倒灌電路介紹
2024-07-13
MOS管作為開關(guān)管應(yīng)用的倒灌電路介紹什么是灌流電路1、MOS管作為開關(guān)管應(yīng)用的特殊驅(qū)動(dòng)電路MOS管和普通晶體三極管相比，有諸多的優(yōu)點(diǎn)，但是在
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MOS管工作原理與構(gòu)造詳解
2024-07-13
MOS管工作原理與構(gòu)造詳解什么是MOS管?MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金屬氧化物半
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MOS管與三極管的區(qū)別詳細(xì)介紹
2024-07-13
MOS管與三極管的區(qū)別詳細(xì)介紹MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和三極管（雙極型晶體管）是兩種常見的晶體管類型，它們?cè)诠ぷ髟?、結(jié)
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MOSFET晶體管工作原理,分類規(guī)則與符號(hào)詳細(xì)介紹
2024-07-13
MOSFET晶體管工作原理,分類規(guī)則與符號(hào)詳細(xì)介紹MOSFET 開關(guān)晶體管MOS 管是 金屬（Metal）氧化物（Oxide）半導(dǎo)體（Semi） 場(chǎng)效應(yīng)晶體管，
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MOS管,場(chǎng)效應(yīng)管工作原理與反向?qū)☉?yīng)用介紹
2024-07-13
MOS管,場(chǎng)效應(yīng)管工作原理與反向?qū)☉?yīng)用介紹一、電子和空穴半導(dǎo)體中有兩種載流子：自由電子和空穴。自由電子就是指不被約束在某一個(gè)原子內(nèi)部
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場(chǎng)效應(yīng)管的使用注意事項(xiàng)介紹
2024-07-12
場(chǎng)效應(yīng)管的使用注意事項(xiàng)介紹1、 MOS場(chǎng)效應(yīng)管由于輸人阻抗極高,所以在運(yùn)輸、貯藏中必須將弓出腳短路,要用金屬屏蔽包裝,以防止外來(lái)感應(yīng)電勢(shì)