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深圳市烜芯微科技有限公司
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全橋拓?fù)?基本的工作原理
2020-02-27
全橋拓?fù)?基本的工作原理全橋變換器如圖 3 3 所示，其輸入與半橋變換器相同 ，采用倍壓全橋切換整流電路 。 全橋拓?fù)淇捎糜跇?gòu)成接 4
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開(kāi)關(guān)電源半導(dǎo)體芯片知識(shí)
2020-02-24
開(kāi)關(guān)電源半導(dǎo)體芯片知識(shí)三端單片性能特點(diǎn)三端單片開(kāi)關(guān)電源芯片是目前國(guó)際上正在流行的新型開(kāi)關(guān)電源芯片。專(zhuān)業(yè)從事電源半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)和生產(chǎn)
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線性電源的主要性能知識(shí)
2020-02-23
線性電源的主要性能知識(shí)MOS管開(kāi)關(guān)電源電路主要包括輸入電網(wǎng)濾波器。輸入整流濾波器、逆變器、輸出整流濾波器?？刂齐娐?、保護(hù)電路。它們的
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導(dǎo)通瞬間基極驅(qū)動(dòng)圖
2020-02-22
導(dǎo)通瞬間基極驅(qū)動(dòng)圖導(dǎo)通瞬間基極過(guò)驅(qū)動(dòng)峰值輸入電流／bl為了保證迅速導(dǎo)通集電極電流，需要有一個(gè)持續(xù)時(shí)間很短且峰值約為導(dǎo)通期間平均值2～3
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單片開(kāi)關(guān)電源的基本原理圖
2020-02-20
單片開(kāi)關(guān)電源的基本原理圖單片MOS開(kāi)關(guān)電源的典型應(yīng)用電路如圖1-13所示。由于單端反激式開(kāi)關(guān)電源電路簡(jiǎn)單、所用元件少，輸出與輸人間有電氣
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CMOS-CMOS集成電路閂鎖效應(yīng)措施詳情
2020-02-19
CMOS-CMOS集成電路閂鎖效應(yīng)措施詳情cmos應(yīng)用在CMOS應(yīng)用中能同時(shí)將p溝道m(xù)os管與n溝道MOSFET制作在同一片芯片上．需要額外的摻雜及擴(kuò)散步驟，
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MOSFET的基本結(jié)構(gòu)
2020-02-18
MOSFET的基本結(jié)構(gòu)由于在柵極與半導(dǎo)體之間有絕緣二氧化硅的關(guān)系，MOS管器件的輸入阻抗非常高，此一特色使MOSFET在功率器件的應(yīng)用相當(dāng)引人注
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晶體管工作原理-晶體管分類(lèi)-分析全面晶體管工作原理大全
2020-02-17
晶體管工作原理-晶體管分類(lèi)-分析全面晶體管工作原理大全電力晶體管電力晶體管按英文Giant Transistor直譯為巨型晶體管，是一種耐高電壓、
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驅(qū)動(dòng)變壓器電路解析
2020-02-16
驅(qū)動(dòng)變壓器電路解析驅(qū)動(dòng)變壓器的恢復(fù)在驅(qū)動(dòng)MOS晶體管Q2導(dǎo)通期間的開(kāi)始部分，D1和S2將導(dǎo)通。但是當(dāng)Ql已經(jīng)關(guān)斷并且基—射結(jié)間的恢復(fù)電流已經(jīng)
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mos管源漏極-mosfet管柵極電壓-P型mosfet管的解析
2020-02-15
mos管源漏極-mosfet管柵極電壓-P型mosfet管的解析MOSFET 管的最大柵極電壓大部分MOSFET管指定了最大柵源極間電壓(±20V）。假定超越
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MOS晶體管種類(lèi)-mos管種類(lèi)名稱(chēng)詳情
2020-02-14
MOS晶體管種類(lèi)-mos管種類(lèi)名稱(chēng)詳情MOS晶體管種類(lèi)按溝道區(qū)中載流子類(lèi)型分N溝MOS晶體管：襯底為P型，源漏為重?fù)诫s的N＋，溝道中載流子為電子P
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cmos及pmos-pmos工藝產(chǎn)品介紹與原理詳解
2020-01-17
cmos及pmos-pmos工藝產(chǎn)品介紹與原理詳解目前，MOSFET是ULSI電路中最主要的器件，由于它可比其他品種器件減少至更小的尺寸 MOSFET的主要技