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開關(guān)電源MOS開關(guān)損耗推導(dǎo)過程圖解電源工程師們都知道開關(guān)MOS在整個(gè)電源系統(tǒng)里面的損耗占比是不小的,開關(guān)mos的的損耗我們談及最多的就是開
MOS管功率損耗要如何測(cè)MOSFET IGBT的開關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié),但很多工程師對(duì)開關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上
如何給三極管基極,MOS管接?xùn)艠O接下拉電阻設(shè)計(jì)一個(gè)驅(qū)動(dòng)繼電器(或者電磁閥、電機(jī))的電路,不算難吧?但是設(shè)計(jì)一個(gè)穩(wěn)定的電路有沒有信心?比
MOS管的分類與特點(diǎn)介紹功率MOSFET可分成兩類:P溝道及N溝道:中間箭頭向里的是N溝道而箭頭向外的是P溝道。它有三個(gè)極:漏極(D)。源極(S
MOS管的門極驅(qū)動(dòng)電路知識(shí)詳解MOS管的門極驅(qū)動(dòng)電路1、直接驅(qū)動(dòng)電阻R1的作用是限流和抑制寄生振蕩,一般為10ohm到100ohm,R2是為關(guān)斷時(shí)提供放
MOS管GS之間并聯(lián)的電阻的真正作用介紹在mos管的驅(qū)動(dòng)電路里,某些場(chǎng)合下,會(huì)看到這個(gè)電阻,在某些場(chǎng)合中,又沒有這個(gè)電阻 這個(gè)電阻的值比較常見
MOS管在GS兩端產(chǎn)生的振蕩波形如何消除我們很多時(shí)候都在波形,看輸入波形,MOS開關(guān)波形,電流波形,輸出二極管波形,芯片波形,MOS管的GS波
場(chǎng)效應(yīng)管工作原理,MOS管場(chǎng)效應(yīng)管知識(shí)詳解場(chǎng)效應(yīng)管分類場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)因有兩個(gè)PN結(jié)而得名,絕緣柵型
電路模塊之MOS管的應(yīng)用1 MOS管開關(guān)電路學(xué)習(xí)過模擬電路的人都知道三極管是流控流器件,也就是由基極電流控制集電極與發(fā)射極之間的電流;而
MOS管作為開關(guān)動(dòng)作滯后-灌流電路可以發(fā)揮效果在MOS管作為開關(guān)運(yùn)用時(shí),因?yàn)樗妮斎胩匦裕赡軙?huì)引起開關(guān)動(dòng)作滯后,這就不能凸顯出MOS管相對(duì)
P溝道m(xù)os管作為開關(guān)的條件介紹GS >GS(TH)P溝道m(xù)os管作為開關(guān),柵源的閥值為-0 4V,當(dāng)柵源的電壓差為-0 4V就會(huì)使DS導(dǎo)通,如果S為2 8V,G為1
大功率MOS管,小功率MOS管的理解與經(jīng)驗(yàn)介紹MOS管相比于三極管,開關(guān)速度快,導(dǎo)通電壓低,電壓驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單,所以越來越受工程師的喜歡,然而,若