MOS管米勒效應(yīng)會(huì)延長(zhǎng)開(kāi)關(guān)頻率，增加功耗，降低穩(wěn)定性，形成米勒平臺(tái)。雖無(wú)法完全消除，但可通過(guò)減少柵極電阻或增加并聯(lián)電容來(lái)減小米勒效應(yīng)的影響，同時(shí)也可利用米勒效應(yīng)實(shí)現(xiàn)電路緩啟動(dòng)。
在一些高頻開(kāi)關(guān)電路中，MOS管的米勒效應(yīng)有著延長(zhǎng)開(kāi)關(guān)頻率，增加功耗，降低系統(tǒng)穩(wěn)定性的讓人討厭的缺點(diǎn)。如下圖，t2-t3之間存在一個(gè)平坦的小臺(tái)階，藍(lán)色直線部分就是“米勒平臺(tái)”。
MOS管的導(dǎo)通情況（米勒效應(yīng)）：
當(dāng)MOSFET開(kāi)通后，Vds開(kāi)始下降，Id開(kāi)始上升，此時(shí)MOSFET進(jìn)入飽和區(qū)；但由于米勒效應(yīng)，Vgs會(huì)持續(xù)一段時(shí)間不再上升，此時(shí)Id已經(jīng)達(dá)到最大，而Vds還在繼續(xù)下降，直到米勒電容充滿(mǎn)電，Vgs又上升到驅(qū)動(dòng)電壓的值，此時(shí)MOSFET進(jìn)入電阻區(qū)，此時(shí)Vds徹底降下來(lái)，開(kāi)通結(jié)束。
米勒效應(yīng)：由于米勒電容阻止了Vgs的上升，從而也就阻止了Vgs的下降，這樣就會(huì)使損耗的時(shí)間加長(zhǎng),從而增加了損耗。
下圖左為MOS管的電路符號(hào)圖，右邊為MOS管的等效模型。
圖示米勒電容
Cgs：GS寄生電容
Cgd：GD寄生電容
輸入電容Ciss=Cgs+Cgd
輸出電容Coss=Cgd+Cds
反向傳輸電容Crss=Cgd
米勒效應(yīng)是指：其輸入輸出之間的分布電容Cgs在反相放大的作用下，等效輸入電容值放大的效應(yīng)，米勒效應(yīng)會(huì)形成米勒平臺(tái)。
米勒效應(yīng)的缺點(diǎn)：
開(kāi)頭的圖一我們就能知道，在電感負(fù)載下，MOS管的開(kāi)關(guān)過(guò)程由于米勒效應(yīng)明顯變長(zhǎng)了，MOS管D極和S極重疊的時(shí)間越長(zhǎng)，導(dǎo)通損耗就會(huì)越大。
而米勒電容因?yàn)镸OS管的制造工藝，是必定會(huì)存在的，因此它無(wú)法做到完全消除。
但是我們可以通過(guò)減少柵極電阻Rg來(lái)減小米勒效應(yīng)的影響。
可以看出，R1越小，gs充電越快，MOS管的開(kāi)啟越快。
然而，米勒效應(yīng)當(dāng)真一無(wú)是處嗎？
我們知道任何事物都有兩面性，米勒效應(yīng)的存在必然如此。
我們可以利用米勒效應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)電路緩啟動(dòng)的目的。
可以通過(guò)增加MOS管的柵極電阻，在MOS管的G-D極之間并聯(lián)大型的電容，進(jìn)行人為拉長(zhǎng)米勒的臺(tái)階。
下圖這個(gè)電路，便是增加了柵極電阻和G-D極之間的并聯(lián)電容，增大了米勒臺(tái)階，讓輸出 的波形變成了一個(gè)三角脈沖的形式。
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