本文分析了第二代開關(guān)電流存儲單元存在的問題，提出了改進(jìn)方法，并設(shè)計了延遲線電路。此電路可以精確地對信號進(jìn)行采樣并延遲任意時鐘周期。解決了第二代開關(guān)電流存儲單元產(chǎn)生的誤差，利用此電路可以方便地構(gòu)造各種離散時間系統(tǒng)函數(shù)。
1、第二代開關(guān)電流存儲單元分析
第二代開關(guān)電流存儲單元，在φ1(n-1)相，S1，S2閉合，S3斷開，晶體管M連成二極管形式，輸入電流ii與偏置電流I之和給柵源極間電容C充電。隨著充電的進(jìn)行，柵極電壓vgs達(dá)到使M能維持整個輸入電流的電平，柵極充電電流減至零，達(dá)到穩(wěn)態(tài)，此時M的漏極電流為：
在φ2(n)相，S1，S2斷開，S3閉合，此時輸出端電流為：
Z域傳輸函數(shù)為：
綜上可看出，晶體管M既作為輸入存儲管又作為輸出管，輸出電流i0僅在φ2相期間獲得。
2、延遲線
從結(jié)果來看，由于時鐘饋通誤差和傳輸誤差的存在，第二代開關(guān)電流存儲單元(以下簡稱基本存儲單元)輸出波形嚴(yán)重失真，尤其是級聯(lián)后的電路失真更加嚴(yán)重，無法應(yīng)用到實際中，所以，設(shè)計延遲線電路。
電路原理如下：電路是一個由N+1個并聯(lián)存儲單元組成的陣列，且由時鐘序列控制。在時鐘的φ0。相，存儲單元M0接收輸入信號，而單元M1提供其輸出。類似的，在φ1相，單元M1接收輸入信號，單元M2提供其輸出。這個過程一直持續(xù)到單元MN接收其輸入信號，單元M0提供其輸出信號為止，然后重復(fù)循環(huán)。顯然，每個單元都是在其下一個輸入之前一個周期，即在其前一個輸出相N個周期(NT)之后，提供輸出信號。如取N=1，則延遲線是一個反相單位延遲單元，或連續(xù)輸入信號時，它是一個采樣保持電路，此時，延遲線電路和基本存儲單元相同。請注意，對于循環(huán)的N-1個時鐘相，每個存儲單元既不接收信號也不提供信號。在這些時刻，存儲晶體管上的漏電壓值變化到迫使每個偏置電流和保持在其有關(guān)存儲晶體管中的電流之間匹配。給出Z域傳輸函數(shù)為：
用基本存儲單元級聯(lián)延遲N個周期，則需要2N個基本存儲單元級聯(lián)，并且電路的時鐘饋通誤差和傳輸誤差會隨著N的增加越來越嚴(yán)重，到最后原信號將淹沒在誤差信號中。延遲線電路若要實現(xiàn)信號延遲N個時鐘周期，則需要N+1個并聯(lián)存儲單元組成，并且需要N+1種時序。由于這種電路結(jié)構(gòu)不需要級聯(lián)，所以并不會像基本存儲單元級聯(lián)那樣使得時鐘饋通誤差和傳輸誤差越來越大。但是時鐘饋通誤差和傳輸誤差仍然存在，以下給出解決辦法。
3、時鐘饋通誤差及傳輸誤差的改善
3．1 時鐘饋通誤差的改善
改善時鐘饋通誤差可采用S2I電路。它的工作原理為：在φ1a相，Mf的柵極與基準(zhǔn)電壓Vref相連，此時Mf為Mc提供偏置電流JoMc中存儲的電流為ic=I+ii。當(dāng)φ1b由高電平跳變?yōu)榈碗娖綍r，由于時鐘饋通效應(yīng)等因素造成Mc單元存儲的電流中含有一個電流誤差值，假設(shè)它為△ii，則Mc中存儲的電流為ic=J+ii+△ii。在φ1b相期間，細(xì)存儲管Mf對誤差電流進(jìn)行取樣，由于輸入電流仍然保持著輸入狀態(tài)，所以Mf中存儲的電流為If=J+△ii。當(dāng)φ1b由高電平跳變?yōu)榈碗娖綍r，考慮到△ii
3．2 傳輸誤差的改善
傳輸誤差產(chǎn)生的原因是當(dāng)電路級聯(lián)時，因為傳輸?shù)氖请娏餍盘?，要想信號完全傳輸?shù)较乱患?，必須做到輸出阻抗無窮大，但在實際中是不可能實現(xiàn)的，只能盡可能地增加輸出阻抗。
計算出輸出電阻為：
與第二代基本存儲單元相比，輸出電阻增大
倍。結(jié)合S2I電路與調(diào)整型共源共柵結(jié)構(gòu)電路的優(yōu)點(diǎn)，構(gòu)造調(diào)整型共源共柵結(jié)構(gòu)S2I存儲單元。
采用O．5μm CMOS工藝，level 49 CMOS模型對電路仿真，仿真參數(shù)如下：
所有NMOS襯底接地，所有PMOS襯底接電源，所有開關(guān)管寬長比均為0．5μm／O．5 μm。輸入信號為振幅50μA，頻率為200 kHz的正弦信號，時鐘頻率為5 MHz，Vref=2．4 V，VDD=5 V。表1中給出了主要晶體管仿真參數(shù)。
將原電路按照延遲線的結(jié)構(gòu)連接并仿真，延遲3個時鐘周期(相當(dāng)于6個基本存儲單元級聯(lián))，仿真結(jié)果如圖l所示。
4、結(jié)語
詳細(xì)分析了第二代開關(guān)電流存儲單元存在的缺點(diǎn)，提出了改進(jìn)方法，并設(shè)計了可以延遲任意時鐘周期的延遲線電路，仿真結(jié)果表明，該電路具有極高的精度，從而使該電路能應(yīng)用于實際當(dāng)中。其Z域傳輸函數(shù)為：
在實際應(yīng)用中，該電路可作為離散時間系統(tǒng)的基本單元電路。
由于開關(guān)電流技術(shù)具有與標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字CMOS工藝兼容的特點(diǎn)，整個電路均由MOS管構(gòu)成，這一技術(shù)在以后的數(shù)?；旌霞呻娐分袑⒂袕V闊的發(fā)展前景。
〈烜芯微/XXW〉專業(yè)制造二極管，三極管，MOS管，橋堆等，20年，工廠直銷省20%，上萬家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用，專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品，如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯(lián)系下方的聯(lián)系號碼或加QQ/微信，由我們的銷售經(jīng)理給您精準(zhǔn)的報價以及產(chǎn)品介紹
聯(lián)系號碼：18923864027（同微信）
QQ：709211280