先講連續(xù)時(shí)或臨界時(shí)MOS管DS波形，在講斷續(xù)模式下mos管Ds波形。
1，CCM模式或者CRM模式下MOS管DS波形
如圖是CCM或者是CRM模式下DS波形，鉛筆為電感l(wèi)p的電流波形
在開關(guān)管關(guān)斷時(shí)，漏感Llk儲存的能量沒有辦法對副邊釋放，關(guān)斷的瞬間開始對開關(guān)管的DS電容進(jìn)行充電，從上述t0時(shí)刻開始，當(dāng)mos管DS電壓達(dá)到輸入電壓Vin時(shí)刻，即t1時(shí)刻，等效電路如下所示
上圖是to-t1時(shí)刻的等效電路
開關(guān)管完全截止，此時(shí)副邊的二極管開始開通，主電感能量開始向副邊釋放能量，而變壓器的漏感能量會繼續(xù)給開關(guān)管的DS容及寄生容沖電，當(dāng)電壓達(dá)到Uin+Ucmin時(shí)，吸收二極管開始導(dǎo)通（這個(gè)點(diǎn)圖中忘做標(biāo)記了，這個(gè)點(diǎn)電壓是比Uin+Uclamp稍低一點(diǎn)），吸收二極管導(dǎo)通后，會對電容c繼續(xù)充電，直到達(dá)到最大電平Uin+Uclamp。在t2之前會有一個(gè)1/4的震蕩過程，這個(gè)過程是漏感Llk和電容c進(jìn)行諧振產(chǎn)生的。這個(gè)過程等效電路如下圖所示
圖示是t1-t2等效電路圖
當(dāng)電壓達(dá)到最大點(diǎn)的時(shí)候，此時(shí)漏感儲存的能量基本已經(jīng)釋放完畢，不再向吸收電容上充電，所以mos管DS兩端的電壓也開始往下掉，此時(shí)漏感會和mos管DS容及寄生容發(fā)生高頻震蕩，由于mos管DS兩端端容要遠(yuǎn)小于吸收電路的電容c，所以漏感和mos管DS容產(chǎn)生的振蕩頻率是比較高的，此時(shí)電容C上的能量也開始通過R進(jìn)行釋放，直到電平到達(dá)穩(wěn)定Uin+Uor時(shí)結(jié)束，及t3，t3后面都是主感量Lm向副邊釋放能量的過程，直到下一個(gè)開關(guān)管開通信號來臨。
2，DCM模式下MOS管DS波形
DCM模式下MOS管關(guān)斷時(shí)DS兩端波形，鉛筆為Lp電流波形
斷續(xù)模式下前面一直到t4過程都是一樣的，只是多了一個(gè)t4-t5階段
下面介紹一下t4-t5階段，在t4階段結(jié)束時(shí)，是Lp能量釋放完畢的過程，在Lm能量釋放完畢過后，開關(guān)管仍然是關(guān)閉的，此時(shí)Lp，Llk和Mos管DS電容發(fā)生振蕩的過程，振蕩波形的中心點(diǎn)電壓為Uin。
上面就是反激變換器MOS管DS波形典型波形分析。
后面講RCD吸收電路的參數(shù)影響及如何選擇。
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