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    • 發(fā)布時間:2022-01-06 16:05:38
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    集成電路,集成電路是什么
    集成電路是20世紀(jì)50年代后期一60年代發(fā)展起來的一種新型半導(dǎo)體器件,其應(yīng)用遍及人類生活的方方面面?,F(xiàn)代計(jì)算、交流、制造和交通系統(tǒng),包括互聯(lián)網(wǎng),全都依賴于集成電路的存在。甚至很多學(xué)者認(rèn)為有集成電路帶來的數(shù)字革命是人類歷史中最重要的事件。那么什么是集成電路?下面一起來看看:
    1.概念
    集成電路(integrated circuit)或稱微電路(microcircuit)、 微芯片(microchip)、芯片(chip)是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝,把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上,然后封裝在一個管殼內(nèi),成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu);其中所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個整體,使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進(jìn)了一大步。它在電路中用字母“IC”(也有用文字符號“N”等)表示。其封裝外殼有圓殼式、扁平式或雙列直插式等多種形式。
    從1949年到1957年,維爾納·雅各比(Werner Jacobi)、杰弗里·杜默(Jeffrey Dummer)、西德尼·達(dá)林頓(Sidney Darlington)、樽井康夫(Yasuo Tarui)都開發(fā)了原型,但現(xiàn)代集成電路是由杰克·基爾比在1958年發(fā)明的。其因此榮獲2000年諾貝爾物理獎,但同時間也發(fā)展出近代實(shí)用的集成電路的羅伯特·諾伊斯,卻早于1990年就過世。
    集成電路
    圖1 集成電路
    2.特點(diǎn)
    (1)專用性強(qiáng)。
    (2)頻率特性好、速度快。
    (3)體積小、質(zhì)量輕、功能全。
    (4)可靠性高、壽命長、安裝方便。
    (5)集成電路需要外接一些輔助元件才能正常工作。
    集成電路
    圖2 集成電路外形
    3.優(yōu)缺點(diǎn)
    3.1優(yōu)點(diǎn)
    (1)電路簡單。由于采用了集成電路,簡化了整機(jī)電路的設(shè)計(jì)、調(diào)試和安裝,特別是采用一些專用集成電路后,整機(jī)電路顯得更為簡單。
    (2)性價比高。相對于分立元器件電路而言,采用集成電路構(gòu)成的整機(jī)電路性能指標(biāo)更高,與分立電子元器件電路相比,集成電路的成本、價格更低。例如,集成運(yùn)放電路的增益之高、零點(diǎn)漂移之小是分立電子元器件電路無法比擬的。
    (3)可靠性強(qiáng)。集成電路具有可靠性高的優(yōu)點(diǎn),從而提高了整機(jī)電路工作的可靠性,提高了電路的工作性能和一致性。另外,采用集成電路后,電路中的焊點(diǎn)大幅度減少,出現(xiàn)虛焊的可能性下降,使整機(jī)電路工作更為可靠。
    3.2缺點(diǎn)
    (1)電路拆卸困難。集成電路的引腳很多,給修理、拆卸集成電路帶來了很大的困難,特別是引腳很多的四列集成電路,拆卸比轅困難。
    (2)修理成本增加。當(dāng)集成電路內(nèi)電路中的部分電路出現(xiàn)故障時,通常必須整塊。
    集成電路
    圖3 微電路
    4.選擇事項(xiàng)
    (1)對功能相同但封裝不同的集成電路應(yīng)根據(jù)使用條件而定。
    (2)對要求較高的電路,可選用參數(shù)指標(biāo)高的集成電路,而對各項(xiàng)指標(biāo)要求不太高的電路,就不一定要選擇高指標(biāo)的產(chǎn)品。
    (3)根據(jù)電路要求選擇。各種電子產(chǎn)品都由不同的電路組成,各部分電路功能不同,要求不同。例如,電源電路,是選用串聯(lián)型還是開關(guān)型、輸出電壓是多少、輸入電壓是多少等都是選擇時要考慮的。
    (4)選擇集成電路時要了解所選集成電路的性能,因?yàn)椴煌愋偷募呻娐返膮?shù)各不相同。若不清楚,則要查閱有關(guān)資料。總之在將集成電路裝入電路前,要全面了解該集成電路的功能、電氣參數(shù)、引腳功能和排列規(guī)律等。
    集成電路
    圖4 微芯片
    本文介紹了集成電路的概念、特點(diǎn)、優(yōu)缺點(diǎn)以及選擇事項(xiàng)。如今集成電路已進(jìn)入超深亞微米時代,體硅CMOS的批量生產(chǎn)已采用90nm工藝、300mm晶圓;65nm工藝也即將量產(chǎn)化;集成電路的發(fā)展仍以繼續(xù)追求高頻、高速、高集成度、多功能、低功耗為目標(biāo)。
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