SCR是在行業(yè)進入生產(chǎn)是很常見的，這是比較容易損壞，由于各種原因。可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。工業(yè)級固態(tài)繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內(nèi)3C認證。整流橋模塊將整流管封在一個殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。我在這里談幾個方面的保護晶閘管：
過電壓的保護
可控硅對電壓范圍具有十分的敏感，當正向發(fā)展影響工作電壓不能超過其短態(tài)重復(fù)出現(xiàn)峰值電壓UDRM一定的數(shù)值時可控硅就會直接導(dǎo)致企業(yè)發(fā)生情況嚴重誤導(dǎo)通，從而我們可以通過引發(fā)電路設(shè)計進行分析故障；而當反向電壓是否已經(jīng)超過其反向重復(fù)峰值電壓UDRM一定的數(shù)值時，可控硅就會發(fā)現(xiàn)學(xué)生立即損壞。
主要是由于過電壓能量存儲系統(tǒng)或提供給一個快速變化的電功率產(chǎn)生，從而使系統(tǒng)時間轉(zhuǎn)換，在系統(tǒng)中，或者由于時間電磁能量耗散累積。兩種類型的斷浪涌電壓和所述主開關(guān)通過由其他外部沖擊雷電過電壓發(fā)現(xiàn)引起。由閃電或其它高壓斷路器的過電壓產(chǎn)生幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰，晶閘管這是非常危險的。所以要注意慎用。
過電流的保護
由于目前我國半導(dǎo)體材料進行具有體積小、熱容量低的特點，所以像可控硅這類高電壓大電流的功率器件，結(jié)溫必須要全面發(fā)展過程中收到一個沒有嚴格的控制，不然則會產(chǎn)生影響因素造成中小企業(yè)管理設(shè)備技術(shù)主要通過器件的徹底損壞。如果可控硅中的電流密度大于指定工作電流值時，其中的熱量來不及揮發(fā)，使得我們中國氣溫不斷升高，從而提高可以直接破壞器件。
快速熔斷器常用于SCR過電流保護。 由于普通熔斷器的熔斷器特性動作太慢，在熔斷器未熔斷之前，SCR已經(jīng)燒壞；因此，不能用于保護SCR。 快速熔斷器通過銀熔絲嵌入石英砂中，可用于保護SCR。
這就是你保護 scr 的方法，你學(xué)會了嗎？
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