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  • 7n80場效應(yīng)管參數(shù)規(guī)格書 封裝尺寸詳情
    • 發(fā)布時間:2020-09-09 17:48:36
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    7n80場效應(yīng)管參數(shù)規(guī)格書 封裝尺寸詳情
    7n80場效應(yīng)管參數(shù)-型號概述
    7n80場效應(yīng)管參數(shù)型號概述,此功率MOSFET生產(chǎn)是使用SL先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù),這個先進(jìn)的技術(shù)是特別定制的,以減少通態(tài)電阻,提供優(yōu)越的開關(guān)性能,在雪崩和轉(zhuǎn)換方式下能承受高能脈沖器件,它非常適合高效率開關(guān)模式電源,有源功率因數(shù)校正基于半橋拓?fù)洹?/div>
    7n80場效應(yīng)管參數(shù)-型號特性
    RDS(on)=1.4Ω@VGS=10V
    低柵電荷(典型27nC)
    快速切換
    100%雪崩測試
    改進(jìn)的dv/dt的能力
    7n80場效應(yīng)管參數(shù)-型號封裝圖
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    7n80場效應(yīng)管參數(shù)
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