mos管開(kāi)關(guān)電路
MOS管開(kāi)關(guān)電路是利用一種電路，是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)造的電路。MOS管分為N溝道與P溝道，所以開(kāi)關(guān)電路也主要分為兩種。
P溝道MOS管開(kāi)關(guān)電路
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時(shí)的情況（高端驅(qū)動(dòng)）。需要注意的是，Vgs指的是柵極G與源極S的電壓，即柵極低于電源一定電壓就導(dǎo)通，而非相對(duì)于地的電壓。但是因?yàn)镻MOS導(dǎo)通內(nèi)阻比較大，所以只適用低功率的情況。大功率仍然使用N溝道MOS管。
N溝道m(xù)os管開(kāi)關(guān)電路
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接地時(shí)的情況（低端驅(qū)動(dòng)），只要柵極電壓大于參數(shù)手冊(cè)中給定的Vgs就可以了，漏極D接電源，源極S接地。需要注意的是Vgs指的是柵極G與源極S的壓差，所以當(dāng)NMOS作為高端驅(qū)動(dòng)時(shí)候，當(dāng)漏極D與源極S導(dǎo)通時(shí)，漏極D與源極S電勢(shì)相等，那么柵極G必須高于源極S與漏極D電壓，漏極D與源極S才能繼續(xù)導(dǎo)通。
mos管電子開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)控制詳解
mos管電子開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)控制電路是由約翰·倫德格倫改編自“撥動(dòng)開(kāi)關(guān)去抖的按鈕”。需要從一個(gè)位置接通和從另一個(gè)位置關(guān)掉負(fù)載，這個(gè)電路是有用的。任何數(shù)量的瞬間（N / O）開(kāi)關(guān)或按鈕可并行連接。
在原理圖上的左側(cè)的組合（10K，10uF和二極管）保證了電路接通電源時(shí)保持負(fù)載斷開(kāi)狀態(tài)。如果初始上電狀態(tài)不是一個(gè)問(wèn)題，這些組件可以被省略。
當(dāng)開(kāi)關(guān)按下時(shí)，1uF電容被連接到220歐姆和33K電阻連接點(diǎn)，NPN晶體管截止，mos管導(dǎo)通開(kāi)啟負(fù)載。釋放按鈕后，1uF電容通過(guò)1M電阻充電。第二次按下開(kāi)關(guān)，1uF電容充電后的電壓被加載到NPN晶體管基極，晶體管導(dǎo)通，mos管關(guān)閉，負(fù)載斷電。
當(dāng)開(kāi)關(guān)按下時(shí)，1uF電容被連接到220歐姆和33K電阻連接點(diǎn)，NPN晶體管截止，mos管導(dǎo)通開(kāi)啟負(fù)載。釋放按鈕后，1uF電容通過(guò)1M電阻充電。第二次按下開(kāi)關(guān)，1uF電容充電后的電壓被加載到NPN晶體管基極，晶體管導(dǎo)通，mos管關(guān)閉，負(fù)載斷電。
在晶體管的基極加入0.1uF電容，攔截噪聲可能造成的誤觸發(fā)，如果開(kāi)關(guān)位于遠(yuǎn)離電路。使用12伏，25瓦特汽車(chē)燈，和IRFZ44的電路進(jìn)行了測(cè)試。其他的MOSFET大概可以使用。
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