在一個系統(tǒng)中或在一個整體中，我們往往定義了一些參考點，就像我們常常說的海平面，在單片中也是如此，我們無論說是高電平還是低電平都是相對來說的。
在51單片機(jī)，沒有連接上拉電阻的P0口相比有上拉電阻的P1口在I/O口引腳和電源之間相連是通過一對推挽狀態(tài)的FET來實現(xiàn)的，51具體結(jié)構(gòu)如下圖。
51結(jié)構(gòu)圖
組成推挽結(jié)構(gòu)，從理論上講是可以通過調(diào)配管子的參數(shù)輕松實現(xiàn)輸出大電流，
提高帶載能力，兩個管子根據(jù)通斷狀態(tài)有四種不同的組合，上下管導(dǎo)通相當(dāng)于把電源短路了，這種情況下在實際電路中絕對不能出現(xiàn)，從邏輯電路上來講，上管開-下管關(guān)開時IO與VCC直接相連，IO輸出低電平0,這種結(jié)構(gòu)下如果沒有外接上拉電阻，輸出0就是開漏狀態(tài)(低阻態(tài))，因為I/O引腳是通過一個管子接地的，并不是使用導(dǎo)線直接連接，而一般的MOS在導(dǎo)通狀態(tài)也會有mΩ極的導(dǎo)通電阻。
排阻
無論是低阻態(tài)還是高阻態(tài)都是相對來說的，把下管子置于截止?fàn)顟B(tài)就可以把GND和I/O口隔離達(dá)到開路的狀態(tài)，這時候推挽一對管子是截止?fàn)顟B(tài)，忽略讀取邏輯的話I/O口引腳相當(dāng)于與單片機(jī)內(nèi)部電路開路，考慮到實際MOS截止時會有少許漏電流，就稱作“高阻態(tài)”
由于管子PN節(jié)帶來的結(jié)電容的影響，有的資料也會稱作“浮空”，通過I/O口給電容充電需要一定的時間，那么IO引腳處的對地的真實電壓和水面浮標(biāo)隨波飄動類似了，電壓的大小不僅與外界輸入有關(guān)還和時間有關(guān)，在高頻情況下這種現(xiàn)象是不能忽略的。
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