MOSFET是一種重要的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，在汽車(chē)系統(tǒng)的交換器電路及放大器電路中具有明顯的性能和成本優(yōu)勢(shì)。目前，低電壓功率MOSFET的應(yīng)用范圍正在向剎車(chē)和顯示屏控制等其它低功率系統(tǒng)應(yīng)用擴(kuò)展。
在車(chē)載48伏系統(tǒng)中，功率MOSFET封裝向來(lái)尺寸較大，因?yàn)檫@提供了更好的散熱和性能，提高了器件整體安全性和可靠性。TO-220、TO-247、I2PAK、DPAK和D2PAK等傳統(tǒng)封裝已經(jīng)使用多年，鑒于其成本和眾所周知的特性，一些供應(yīng)商仍在采用這些封裝。
采用LFPAK封裝的MOSFET模塊
隨著汽車(chē)電子系統(tǒng)變得越來(lái)越先進(jìn)，功率MOSFET器件也必須變得更加高效。當(dāng)前，功率溝道型MOSFET的導(dǎo)通阻抗(RDS(ON))已經(jīng)低至1毫歐或2毫歐，而布線(xiàn)、連接以及封裝引線(xiàn)等等的寄生阻抗帶來(lái)的額外系統(tǒng)阻抗很可能超過(guò)MOSFET本身的阻抗，這在降低功耗的同時(shí)提高了設(shè)計(jì)復(fù)雜度。因此，新得的封裝悄然問(wèn)世，取代了焊線(xiàn)技術(shù)用于MOSFET端子連接。
LFPAK就是此類(lèi)封裝設(shè)計(jì)的一種，主要優(yōu)點(diǎn)是在熱性能要求苛刻的環(huán)境中具有更高性能。另一關(guān)鍵技術(shù)因素是器件的引腳更短，可大幅度降低電感和封裝電阻。相較于其他封裝，例如使用微引腳代替引腳的功率四側(cè)扁平無(wú)引腳(PQFN)封裝，外露引腳還有助于更好地處理應(yīng)力。
另外，許多應(yīng)用都已開(kāi)始放棄傳統(tǒng)的功率封裝解決方案，改為絕緣基板上安裝裸片，將MOSFET與功率器件上的感測(cè)元件一起使用，可在系統(tǒng)出現(xiàn)過(guò)流或過(guò)熱情況時(shí)保護(hù)功率器件免受損害。
長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，48伏系統(tǒng)也可以應(yīng)用于其他形式的電氣化車(chē)輛，如完全混合動(dòng)力汽車(chē)、插電式混合動(dòng)力汽車(chē)和純電動(dòng)汽車(chē)。從功率半導(dǎo)體的角度來(lái)看，更具體地說(shuō)是MOSFET，市場(chǎng)對(duì)更好、更高效的MOSFET的需求將持續(xù)存在。因此，制造商需要不斷創(chuàng)新，并確保跟上最新的技術(shù)趨勢(shì)。
LFPAK封裝的MOSFET模塊尺寸減少53%
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