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  • 60v電動車控制器mos管選型與代換
    • 發(fā)布時間:2019-11-08 16:17:32
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    60v電動車控制器MOS管
    MOS電流:60V -100V
    MOS電壓:80A-160A
    60v電動車控制器MOS管選型
    3308 (80A/80V) 75NF75 (80A/80V) 2808 (150A/80V) 2806 (160A/60V) 2906A (130A/60V) 2910 (130A/100V)等;
    60V MOS管的系列
    30N06B (25A/60V)、KNX8606A (35A/60V)、50N06B (50A/60V)、KNX3706A (50A/60V)、KNX3406A (80A/60V)、KNX3306B (80A/60V)、KNX3206A (110A/60V)、3205S (130A/60V)、2906A (130/60V)、2806A (160A/60V)等;
    60V MOS管封裝形式
    TO-252、TO-92 、TO-2247、TO-3PF、TO-220、DFN5*6、DFN3*3、TO-220F、TO-263、TO-263-6L、TO-251、SOP-8、SOT-223、TSSSOP-8;
    可申請樣品及報價和有技術支持,有什么問題有技術員幫忙解決問題!
    60v電動車控制器mos管
    MOS管應用于大多數(shù)電子設備,如家電、汽車電源、充電器、電動報警器MOS管、電動車MOS管耐壓等。再者,它在這些設備中能夠起到許多作用,比如放大電路、作為可變電阻、作為恒流源及作為電子開關使用。
    1、MOS管在電動車控制器中的作用
    正常運轉時把電池里的直流電轉換為交流電,從而帶動電機運轉。剎車時將電機回饋的交流電轉化為直流電返回電池。簡單來說電機是靠MOS的輸出電流來驅動的,輸出電流越大(為了防止過流燒壞MOS管,控制器有限流保護),電機扭矩就強,加速就有力,所以MOS管在使用中是起到了“心臟”的作用。
    2、MOS管在控制器電路中的工作狀態(tài)
    它共有這幾種狀態(tài)。開通過程、導通狀態(tài)、關斷過程、截止狀態(tài)、擊穿狀態(tài)。MOS管主要損耗包括開關損耗(開通過程和關斷過程),導通損耗,截止損耗(漏電流引起的,這個忽略不計),還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在MOS管承受規(guī)格之內,MOS管即會正常工作,超出承受范圍,即發(fā)生損壞。
    而開關損耗往往大于導通狀態(tài)損耗,尤其是PWM沒完全打開,處于脈寬調制狀態(tài)時(對應電動車的起步加速狀態(tài)),而最高急速狀態(tài)往往是導通損耗為主。
    3、MOS在電動車控制器中的應用
    我們電動車上用的功率mos和平常cmos集成電路中的小功率mos結構是不一樣的。小功率mos是平面型結構。而電動車上上用的功率mos是立體結構。平面型結構是指,mos柵極,源級和漏級都在芯片表面(或者說正面),而溝道也在芯片表面橫向排列。(我們常見的教科書的介紹mos原理一般都是拿平面結構介紹)。而功率mos的立體結構(溝道是深槽立體結構)是柵極和源級引線從芯片正面引出(其實柵極也不在表面而是內部,只是比較靠近表面),而漏級是從芯片背面引出(其實整個芯片背面都是漏級連接在一起的,整個個漏級用焊接材料直接焊接在金屬板上,就是mos的金屬背板,一般是銅鍍錫的),所以我們見到的mos一般金屬板和中間引腳(就是漏級)是完全導通的(有些特殊的封裝是可以做到金屬板和中間腳絕緣的)。
    功率mos內部從漏級到源級是有一個二極管的,這個二極管基本上所有的功率mos都具有,和它本身結構有關系(不需要單獨制造,設計本身就有)。當然可以通過改變設計制造工藝,不造出這個二極管。但是這會影響芯片功率密度,要做到同樣耐壓和內阻,需要更大的芯片面積(因為結構不同)。大家只是知道這回事就行了。
    我們所見的mos管,其實內部由成千上萬個小mos管并聯(lián)而成(實際數(shù)量一般是上千萬個,和芯片面積和工藝有關)。如果在工作中,有一個或幾個小管短路,則整個mos表現(xiàn)為短路,當然大電流短路mos可能直接燒斷了(有時表現(xiàn)為金屬板和黑色塑封間開裂),又表現(xiàn)為開路。大家可能會想這上千萬個小mos應該很容易出現(xiàn)一個或幾個壞的吧,其實真沒那么容易,目前的制造工藝基本保證了這些小單位各種參數(shù)高度一致性。它們的各種開關動作幾乎完全一致,當然最終燒壞時,肯定有先承受不了的小管先壞。所以管子的穩(wěn)定性和制造工藝密不可分,差的工藝可能導致這些小管的參數(shù)不那么一致。有時一點小的工藝缺陷(比如一個1um甚至更小的顆粒如果在關鍵位置)往往會造成整個芯片(缺陷所在的管芯)報廢。
    4、MOS管損壞主要原因
    過流,大電流引起的高溫損壞(分持續(xù)大電流和瞬間超大電流脈沖導致結溫超過承受值);過壓,源漏級大于擊穿電壓而擊穿。柵極擊穿,一般由于柵極電壓受外界或驅動電路損壞超過允許最高電壓(柵極電壓一般需低于20v安全)以及靜電損壞。
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